BYM11-800HE3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | BYM11-800HE3_A/H |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-213AB |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 500 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | BYM11 |
BYM11-800HE3_A/H Einzelheiten PDF [English] | BYM11-800HE3_A/H PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
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2024/06/6
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2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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